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电子元器件详细资料 » IC[27162] » SI4654DY-T1-GE3
型号:SI4654DY-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)25V
电流_连续漏极(Id)0a025000C28.6A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C4 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs100nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds3770pF @ 15V
功率_最大5.9W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装Digi-Reel®

供应商

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现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
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SI4654DY-T1-GE3相关型号

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